横型p-n接合を用いた光電子素子の高密度集積化

High-density integration of opto-electronic devices using lateral p-n junctions




適応コミュニケーション研究所
Pablo O. Vaccaro


当所では、独自の構想に基づく横型p-n接合を用いた光電子素子の研究を進めている。横型p-n接合は、多くの特長を持ち、将来の光電子集積回路への応用が期待できる。これを実証するために、横型p-n接合を用いた発光ダイオード、面発光レーザ、光検出器、および高密度に集積した発光ダイオードアレイを試作した。

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