TR-O-0006 :1988.12.7.

竹中勉,徳満恒雄,相川正義

GaAs FETのAC小信号モデルパラメータのバイアス依存性評価

Abstract:ATR光電波通信研究所では、適応制御型アンテナ及び移動機の小型化・高機能化に向け、モノリシックマイクロ波IC(MMIC)の高集積化の研究を行っている。本報告は、MMIC高集積化のため必要な近似精度の高いGaAs FET高周波非線形特性近似モデルの開発を目指し、FETを線形素子で等価回路化、各線形素子のバイアス依存性を評価したものである。さらに、評価 結果と従来の一般的な近似モデルによる計算結果との比較を行い、今後改善すべき重点項目を明確にする。また、被測定デバイスを製造プロセスの 異なる二種のFETとし、製造プロセスの違いが各線形素子のバイアス依存性に与える影響についても評価する。