冨永浩司,細田誠
In系超格子におけるワニエシュタルク
局在効果とその応用
Abstract:これまでATRではGaAs基板上のGaAs/AlAs超格子を利用したワニエシュタルク型SEEDの研究を進めてきたが、動作波長に制約があるため透過型素子を作製するのにGaAs基板を除去する必要があったため、素子の小型化、高速化に問題があった。また、近年盛んに研究が行われている歪み超格子の導入は素子特性に新たな可能性を切り開く手段として期待されているがこれまで歪み超格子におけるワニエシュタルク局在効果についてはあまり調べられていなかった。
本報告ではIn材料の導入により達成した動作波長の長波長化や歪み効果の利用について報告する。