藤田和久
MBE法によるSi(111)基板上GaAsヘテロ
エピタキシャル成長
Abstract:シリコン(Si)基板上にGaAsを成長させる(GaAs/Si)技術は、Siの材料としての良さをも合わせ持った安価で大面積のGaAs基板を提供できるだけでなく、Siの電子デバイスとGaAsの
光デバイスとを組み合わせたOEIC作製可能な夢の技術として期待されている。ここでは、
GaAs/Siを実現するための問題点およびこれまで検討されてきたその対策について紹介する。さらに、今回検討を行なったSi(111)基板上にGaAsをMBE成長する場合の基板前処理に
ついて、Si表面酸化膜除去のための熱処理を成長室とは別室で行ない、しかもGaAs成長前
のAs照射を高温で行なうことにより、GaAs層の結晶性が著しく向上することについて報告
する。