TR-O-0097 :1996.1.30

平井学

GaAs(111)A面上デルタドープGaAs層 における不純物の拡散

Abstract:本研究ではGaAs(111)A面上のMBE成長において、両性，p型，n型を呈する不純物原子のうちSi, Be, Seを取り上げ、(111)A面上の不純物の拡散現象明らかにするとともに(111)A面で代表される高指数面の持つ種々の特徴を活かした新しい高機能デバイス実現のために重要な基礎物性情報を得ることを目的とする。