藤田和久
MBE法によるドーパントSiのみを用いたGaAs(111)
A面上GaAs, AlGaAs/GaAs LED構造の成長
Abstract:GaAs高指数A面（特にGaAs(n11)A(n≦3)面）は、(100)面上GaAsのMBE成長においてn型ドーパントであるシリコン(Si)が両性不純物として働くという特徴を持っている。
本報告では、SiドープGaAs層AlGaAs層について、伝導型の成長条件(Ga/As分子線強度比）および基板の傾斜角度依存性について述べるとともに、p型ドーパントとしてのSiがBeと比較して熱的に安定であることを示す。さらに、これらの特徴を活かして成長条件を制御することにより、ドーパントSiのみを用いて成長した(111)A面上のGaAs p-n接合および
(111)A,(211)A面上のAlGaAs/GaAsダブルヘテロ(DH)構造LEDについて述べる。ドーパントSiのみで作製したLEDは通常のものと比べて特性も良好で発光強度も大きく、さらに構造を最適化することで、AlGaAs/GaAs DHレーザー作製も可能であることを示している。