稲井誠,山本悌二
MBE成長による(111)A面GaAs段差基板上への
横方向p-n接合の形成とその応用
Abstract:(111)A GaAs段差基板を用いることにより、微少なp-n接合を2次元（平面）方向に簡単に形成でき、かつ成長方向に量子構造を取り入れることで量子化されたサブバンド間のp-n接合を実現することができた。
この様なp-n接合の実現により、トンネル現象をはじめとする様々な特異現象が観測され、3次元バンドエンジニアリングの大きな可能性を示唆することができた。また、2次元（平面）方向の材料、構造制御という点では、量子細線、量子箱の作製が現在、主流となっているが、本実験のように、伝導型制御を取り入れた場合にも、非常に興味のある現象が観測できる可能性を明らかにすることができた。この様な3次元構造制御の研究は、まだ緒についたばかりであるが、今後の応用研究に役立てれば幸いであると考えている。