藤井元忠,武部敏彦,山本悌二,稲井誠
GaAs(111)A面上の横方向p-n接合と基板上の
MBE成長シミュレーション
Abstract:GaAs(111)A面の持つ3回対称性とSi原子のGaAs中での両性不純物としての性質を
組み合わせることにより、等価な〈100〉方向に傾斜した斜面を持つ正三角形
状の段差構造を形成したGaAs(111)A基板上にSiドープGaAsのMBE成長を行なうことで、
中央の正三角形p型領域を三つのn型斜面で取り囲んだ横方向p-n接合を作製した。
カソードルミネセンス法を用いて横方向p-n接合の光学的評価を行ない、リッジ
構造とグループ構造の比較からリッジ構造の方が電流狭窄層などの平面的な閉じ込め構造への応用
に適していることなどを確認した。
また、段差基板上のMBE成長時のGaアドアトムの表面拡散に起因すると
考えられている現象を、拡散係数とドリフト速度に面方位依存性を持たせた拡散モデルでシミュレートすべく検討を行なった。