TR-O-0052 :1992.10.1

川島健児,藤原賢三,細田誠

ワニエ・シュタルク局在現象を利用した自己電気光学効果素子

Abstract:本研究では、半導体超格子のワニエ・シュタルク局在に起因する光吸収端のブルーシフト機構、およびシュタルク階段準位による光吸収に着目し、これらの特長を生かした光双安定素子の試作と動作特性の評価をおこなった。その結果、従来の自己電気光学効果素子に比べ、低挿入損失動作あるいは新しい機能を持った多重安定動作が得られた。