TR-O-0027 :1990.2.28.

片浜久,尺田幸男

高濃度SiドープGaAsのラマン散乱と量子井戸サブバンド間吸収の外部光制御

Abstract:高濃度SiドープGaAs中のSi不純物の格子位置をラマン散乱分光法によって調べた。(100)面上にMBE成長したGaAsの場合、ラマン散乱によって得られたSiの格子位置の知見は電気的特性と一致した。また、量子井戸構造に見られるサブバンド間吸収が外部光によって制御出来るかを調べた。サブバンド間吸収が外部光によって変化すること見いだしたが、その機構を検討した結果、 変化の原因は主として熱によると考えられ、光スイッチヘの応用のためには量子井戸構造の工夫・外部光の波長の選択が必要である。