TR-AC-0005 :1997.4.28

平野洋子,大西一

化合物半導体中の準位の研究

Abstract:我々はこれまで静水圧を印加したAlGaAs:Si中のDXセンターの熱活性化エネルギーには圧力効果がなく、AlGaAs:Teには圧力効果が見られることなど、DXセンターの化学種依存性を明らかにしてきた。SeドーパントはGaAs中で補償効果が小さく、高濃度ドーピングが可能なドーパントとして最近注目されているが、Seに関する深い不純物準位は十分明らかになっていない。本研究ではSeが誘起する深い不純物準位の局所環境効果や結晶の面方位依存性、圧力効果などを明らかにし、DXセンターのモデル研究と伝導度制御の基礎を提供する。